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    TPW1R104PB,L1XHQ
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DSOP Advance
  • 技术参数：MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：TPW1R104PB,L1XHQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSIX-H
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.14 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 500μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4560pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：960mW（Ta），132W（Tc）
  • 工作温度：175°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DSOP Advance
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