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TK12E80W,S1X - 东芝半导体公司常见的电子元件
TK12E80W,S1X供应商
产品参考图片
TK12E80W,S1X
制造厂商：
东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220
技术参数：
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
（专注销售东芝半导体电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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参数详情：
制造商产品型号：TK12E80W,S1X
制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
描述：MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：DTMOSIV
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800V
25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 5.8A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 570μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 300V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：165W（Tc）
工作温度：150°C
安装类型：通孔
器件封装：TO-220
TK12E80W,S1X的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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