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TK100L60W,VQ - 东芝半导体公司常见的电子元件
TK100L60W,VQ供应商
产品参考图片
TK100L60W,VQ
制造厂商：
东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-3P（L）
技术参数：
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
（专注销售东芝半导体电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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参数详情：
制造商产品型号：TK100L60W,VQ
制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
描述：MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：DTMOSIV
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 5mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：360nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15000pF @ 30V
FET功能：超级结
功率耗散（最大值）：797W（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-3P（L）
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