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    TK100A06N1,S4X
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220SIS
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：TK100A06N1,S4X
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSVIII-H
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：140nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10500pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220SIS
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