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    RN1910(T5L,F,T)
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：阵列﹐预偏压式晶体管，US6
  • 技术参数：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：RN1910(T5L,F,T)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁：250MHz
  • 功率 - 最大值：100mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：US6
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