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    HN1B04F(TE85L,F)
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：SC-74，SOT-457
  • 技术参数：TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：HN1B04F(TE85L,F)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN，PNP
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：30V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：70 @ 100mA，1V
  • 功率-最大值：300mW
  • 频率-跃迁：200MHz
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SC-74，SOT-457
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