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GT60M303(Q) - 东芝半导体公司常见的电子元件
GT60M303(Q)供应商
产品参考图片
GT60M303(Q)
制造厂商：
东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
类别封装：
单路IGBT，TO-3P
技术参数：
IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
（专注销售东芝半导体电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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参数详情：
制造商产品型号：GT60M303(Q)
制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
描述：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
系列：-
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：900V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A
Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，60A
功率 - 最大值：170W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：-
25°C 时 Td（开/关）值：460ns/600ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：2.5μs
封装/外壳：TO-3PL
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P（LH）
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