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GT10J312(Q) - 东芝半导体公司常见的电子元件
GT10J312(Q)供应商
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GT10J312(Q)
制造厂商：
东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
类别封装：
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
（专注销售东芝半导体电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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参数详情：
制造商产品型号：GT10J312(Q)
制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
电流-集电极脉冲(Icm)：20A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
功率-最大值：60W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：400ns/400ns
测试条件：300V，10A，100 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：200ns
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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